Vishay , 1 P型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=100 V, 6.8 A, TO-263, 表面安装
- RS 库存编号:
- 180-8684
- 制造商零件编号:
- IRF9520SPBF
- 制造商:
- Vishay
可享批量折扣
小计（1 包，共 5 件）*
¥74.80
(不含税)
¥84.50
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年9月14日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 5 - 10 | RMB14.96 | RMB74.80 |
| 15 - 20 | RMB14.508 | RMB72.54 |
| 25 + | RMB14.074 | RMB70.37 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8684
- 制造商零件编号:
- IRF9520SPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 6.8A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.6Ω | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 18nC | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 标准/认证 | RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | |
| 宽度 | 10.67 mm | |
| 长度 | 9.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 6.8A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.6Ω | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 18nC | ||
晶体管配置 单 | ||
最高工作温度 175°C | ||
标准/认证 RoHS 2002/95/EC, IEC 61249-2-21 | ||
宽度 10.67 mm | ||
长度 9.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏极源电压为 100V ，最大栅极源电压为 20V。它在栅极源电压为 10V 时具有 600mohm 的漏 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 60W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•提供带装和卷装
•动态 dV/dt 额定值
•快速切换
• 无卤素
•无铅 (Pb) 组件
•工作温度范围 -55°C 至 175°C
•重复耐雪崩等级
• TrenchFET 功率 MOSFET
应用
•电池充电器
• 变频器
• 电源
•开关模式电源 (SMPS)