Vishay , 1 N型沟道 功率 MOSFET, Vds=800 V, 1.4 A, TO-220FP
- RS 库存编号:
- 180-8699
- 制造商零件编号:
- IRFIBE20GPBF
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 180-8699
- 制造商零件编号:
- IRFIBE20GPBF
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-220FP | |
| 最大漏源电阻 Rd | 6.5Ω | |
| 最大功耗 Pd | 30W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1.4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-220FP | ||
最大漏源电阻 Rd 6.5Ω | ||
最大功耗 Pd 30W | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 RoHS | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay IRFIBE20G 是 N 沟道功率 MOSFET ，漏极至源电压 (VDS) 为 800V。 栅极至源电压 (VGS) 为 20V。它采用 TO-220 FULLPAK 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 10 VGS 时为 6.5 欧姆。
隔离封装
高电压隔离 = 2.5 kVrms (t = 60 s; F = 60 Hz)
阱到引线爬电距离 = 4.8 mm