Vishay N型沟道 单 功率 MOSFET, Vds=500 V, 11 A, TO-263, IRFS11N50APBF
- RS Stock No.:
- 180-8783
- Mfr. Part No.:
- IRFS11N50APBF
- Brand:
- Vishay
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*price indicative
- RS Stock No.:
- 180-8783
- Mfr. Part No.:
- IRFS11N50APBF
- Brand:
- Vishay
Specifications
Technical Reference
Legislation and Compliance
Product Details
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Select all | Attribute | Value |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 11A | |
| 最大漏源电压 Vd | 500V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 0.52Ω | |
| 最大功耗 Pd | 170W | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 52nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 汽车标准 | 否 | |
| Select all | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 11A | ||
最大漏源电压 Vd 500V | ||
包装类型 TO-263 | ||
最大漏源电阻 Rd 0.52Ω | ||
最大功耗 Pd 170W | ||
最大栅源电压 Vgs ±30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 52nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 单 | ||
标准/认证 RoHS | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
Vishay MOSFET
Vishay MOSFET 是 N 沟道， IN-263-3 封装，是一种新时代的产品，漏 - 源电压为 500V ，最大栅 - 源电压为 30V。它在 10V 的栅极源电压下具有 520mohm 的漏极 - 源电阻。MOSFET 的最大功耗为 170W。 此产品经过优化，可降低切换和传导损耗。MOSFET 提供出色的效率以及长且高效的使用寿命，而不会影响性能或功能。
特点和优势
•指定有效余弦
•完全特征化的电容和雪崩电压和电流
•无卤素和无铅 (Pb) 组件
•改进的栅极，雪崩和动态 dV/dt
•低栅极电荷 Qg 可实现简单的驱动要求
•工作温度范围 -55°C 至 150°C
应用
•高速功率切换
•开关模式电源 (SMPS)
• UPS（不间断电源）