制造商编号

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=200 V, Id=5.2 A, JEDEC TO-220AB

RS 库存编号:: 180-8799
制造商零件编号:: IRL620PBF
制造商:: Vishay

Vishay N沟道功率 MOSFET, Vds=200 V, Id=5.2 A, JEDEC TO-220AB

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RS 库存编号:: 180-8799
制造商零件编号:: IRL620PBF
制造商:: Vishay

产品技术参数

产品技术参数资料

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	5.2A
	最大漏源电压 Vd	200V
	包装类型	JEDEC TO-220AB
	最大漏源电阻 Rd	0.8Ω
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	10V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	16nC
	最大功耗 Pd	50W
	最高工作温度	150°C
	晶体管配置	单
	高度	6.48mm
	宽度	10.52mm
	标准/认证	RoHS 2002/95/EC
	长度	14.4mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 5.2A
	最大漏源电压 Vd 200V
	包装类型 JEDEC TO-220AB
	最大漏源电阻 Rd 0.8Ω
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 10V
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 16nC
	最大功耗 Pd 50W
	最高工作温度 150°C
	晶体管配置单
	高度 6.48mm
	宽度 10.52mm
	标准/认证 RoHS 2002/95/EC
	长度 14.4mm
	汽车标准否

Datasheet

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COO (Country of Origin):: CN

Vishay IRL620 是 N 沟道功率 MOSFET ，具有 200V 的漏 - 源 (VDS) 电压。栅 - 源电压 (VGS) 为 10V。它采用 TO-220AB 封装。它提供漏极到源电阻 (RDS)。 5 VGS 时为 0.8 欧姆。

动态 dV/dt 额定值

重复性耐雪崩等级

逻辑电平栅极驱动

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