onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 124 A, PQFN8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 181-1857
- 制造商零件编号:
- FDMS86181
- 制造商:
- onsemi
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- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 124 A | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | PQFN8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 12 MΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 125 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 42 nC @ 10 V | |
| 长度 | 5.85mm | |
| 宽度 | 5mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 124 A | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 PQFN8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 12 MΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 125 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 42 nC @ 10 V | ||
长度 5.85mm | ||
宽度 5mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
高度 1.05mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- PH
这款 N 通道 MV MOSFET 采用先进的 PowerTrench® 工艺生产，该工艺内置了屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
屏蔽栅极 MOSFET 技术
VGS = 10 V、ID = 44 A 时，最大 rDS（接通）= 4.2 mΩ
VGS = 6 V、ID = 22 A 时，最大 rDS（接通）= 12 mΩ
添加
比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
降低切换噪声/EMI
该产品可通用，适用于许多不同的应用。
VGS = 10 V、ID = 44 A 时，最大 rDS（接通）= 4.2 mΩ
VGS = 6 V、ID = 22 A 时，最大 rDS（接通）= 12 mΩ
添加
比其他 MOSFET 供应商的 Qrr 低 50%
降低切换噪声/EMI
该产品可通用，适用于许多不同的应用。