onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=100 V, 128 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, FDP系列
- RS 库存编号:
- 181-1859
- 制造商零件编号:
- FDP4D5N10C
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 800 - 800 | RMB23.962 | RMB19,169.60 |
| 1600 - 7200 | RMB23.482 | RMB18,785.60 |
| 8000 + | RMB23.013 | RMB18,410.40 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 181-1859
- 制造商零件编号:
- FDP4D5N10C
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 128A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 系列 | FDP | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 4.5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 正向电压 Vf | 1.3V | |
| 最大功耗 Pd | 150W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 长度 | 10.36mm | |
| 高度 | 15.21mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.67 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 128A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TO-220 | ||
系列 FDP | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 4.5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
正向电压 Vf 1.3V | ||
最大功耗 Pd 150W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
长度 10.36mm | ||
高度 15.21mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.67 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这款 N 通道 MV MOSFET 采用 ON Semiconductor 的先进 PowerTrench® 工艺生产，该工艺内置了屏蔽栅极技术。此过程已经过优化，可最大程度降低导通电阻，同时使用同类最佳的软主体二极管保持优异的切换性能。
最大 RDS （开） = 4.5 mΩ 、 VGS = 10 V 、 ID = 128 A
功率密度和屏蔽式浇口功率密度和屏蔽式浇口高效率 / 高性能
适用于极低 RDS（接通）的高性能通道技术
高功率密度，带屏蔽栅极技术
反向恢复电荷 Qrr 极低
低 Vds 尖峰内部阻尼函数。
低栅极电荷、 QG = 48nC （典型）
低切换损耗
出色的电源和电流处理能力
低 Qrr/Trr
软恢复性能
适用于 ATX/服务器/工作站/电信 PSU/适配器和工业电源的同步整流。
电机驱动器和不间断电源
微型太阳能变频器
服务器
电信
计算（ATX、工作台、适配器、工业电源等）
电动机驱动器
不间断电源
光伏逆变器