DiodesZetex P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=20 V, 600 mA, X1-DFN, 表面安装, 3引脚, DMP系列
- RS 库存编号:
- 182-6916
- 制造商零件编号:
- DMP21D6UFD-7
- 制造商:
- DiodesZetex
可享批量折扣
小计(1 卷,共 3000 件)*
¥1,044.00
(不含税)
¥1,179.00
(含税)
暂时缺货
- 在 2026年7月23日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.348 | RMB1,044.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.341 | RMB1,023.00 |
| 12000 + | RMB0.33 | RMB990.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-6916
- 制造商零件编号:
- DMP21D6UFD-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 600mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | X1-DFN | |
| 系列 | DMP | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.8nC | |
| 最大功耗 Pd | 800mW | |
| 正向电压 Vf | -1.1V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 8 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.25 mm | |
| 长度 | 1.25mm | |
| 高度 | 0.48mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
槽架类型 P型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 600mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 X1-DFN | ||
系列 DMP | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.8nC | ||
最大功耗 Pd 800mW | ||
正向电压 Vf -1.1V | ||
最大栅源电压 Vgs 8 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.25 mm | ||
长度 1.25mm | ||
高度 0.48mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻(RDS(接通))并保持卓越的切换性能,使其特别适用于高效率电源管理应用。
低接通电阻
极低栅极阈值电压,最大 -1.0V
低输入电容
快速切换速度
ESD 保护门
完全无铅
无卤素和无锑。绿色设备
应用
电源管理功能
直流 - 直流转换器
