DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 21 A, PowerDI5060-8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 182-6918
- 制造商零件编号:
- DMP34M4SPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-6918
- 制造商零件编号:
- DMP34M4SPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 21 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PowerDI5060-8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 6 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.6V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.6V | |
| 最大功率耗散 | 3 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±25 V | |
| 长度 | 6mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 127 nC @ 10V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.1mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 21 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 PowerDI5060-8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 6 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.6V | ||
最小栅阈值电压 1.6V | ||
最大功率耗散 3 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±25 V | ||
长度 6mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 127 nC @ 10V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.1mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.05mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少 RDS（接通）损耗但保持卓越的切换性能。此器件特别适合用于笔记本电脑电池电源管理和负载开关。
100% 生产中非钳制电感性开关 (UIS) 测试
高热效率封装 – 应用工作温度更低
高转换率
低 RDS（接通）- 可最大程度减少通态损耗
<1.1mm 封装型 - 特别适用于薄应用
无铅表面
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
开关
高热效率封装 – 应用工作温度更低
高转换率
低 RDS（接通）- 可最大程度减少通态损耗
<1.1mm 封装型 - 特别适用于薄应用
无铅表面
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
开关