达尔 N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 33.2 A, PowerDI5060-8, 贴片安装, 8引脚

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RS 库存编号:
182-6944
制造商零件编号:
DMTH6016LPD-13
制造商:
DiodesZetex
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品牌

DiodesZetex

通道类型

N

最大连续漏极电流

33.2 A

最大漏源电压

60 V

封装类型

PowerDI5060-8

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

28 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1V

最大功率耗散

37.5 W

最大栅源电压

±20 V

典型栅极电荷@Vgs

17 nC @ 10V

每片芯片元件数目

2

宽度

4.95mm

最高工作温度

+175 °C

长度

5.85mm

最低工作温度

-55 °C

汽车标准

AEC-Q101

高度

1.05mm

正向二极管电压

1.2V

COO (Country of Origin):
CN
此 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻(RDS(接通))但保持卓越的切换性能,使其特别适用于高效率电源管理应用。

额定温度值为 +175°C — 特别适用于高环境温度
环境
高转换率
低输入电容
快速切换速度
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
发动机管理系统
车身控制电子装置
直流-直流转换器

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