DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 4.7 A, X2-DFN2015, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 182-7118
- 制造商零件编号:
- DMP2045UFY4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
- 182-7118
- 制造商零件编号:
- DMP2045UFY4-7
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 4.7 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | X2-DFN2015 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 160 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.3V | |
| 最大功率耗散 | 1.49 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±8 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 6.8 nC @ 4.5V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2.07mm | |
| 宽度 | 1.57mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 4.7 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 X2-DFN2015 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 160 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.3V | ||
最大功率耗散 1.49 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±8 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 6.8 nC @ 4.5V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2.07mm | ||
宽度 1.57mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 0.35mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
低接通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
ESD 保护
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
背光
电源管理功能
直流 - 直流转换器
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
ESD 保护
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
背光
电源管理功能
直流 - 直流转换器