DiodesZetex N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 1 A, X2-DFN1006, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 182-7146P
- 制造商零件编号:
- DMN2450UFB4-7R
- 制造商:
- DiodesZetex
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- DMN2450UFB4-7R
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 1 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | X2-DFN1006 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 700 μΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 0.9V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.4V | |
| 最大功率耗散 | 900 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±12 V | |
| 长度 | 1.05mm | |
| 宽度 | 0.65mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.3 nC @ 10 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 高度 | 0.35mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 1 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 X2-DFN1006 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 700 μΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 0.9V | ||
最小栅阈值电压 0.4V | ||
最大功率耗散 900 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±12 V | ||
长度 1.05mm | ||
宽度 0.65mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.3 nC @ 10 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
高度 0.35mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
印迹仅为 0.6mm2
- 比 SOT23 小 13 倍
0.4mm 薄型 — 特别适合薄型应用
低栅极阈值电压
快速切换速度
ESD 保护门
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
负载开关
- 比 SOT23 小 13 倍
0.4mm 薄型 — 特别适合薄型应用
低栅极阈值电压
快速切换速度
ESD 保护门
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
负载开关