DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 7.4 A, TSSOP, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 182-7357P
- 制造商零件编号:
- DMP2021UTS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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- RS 库存编号:
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- DMP2021UTS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 7.4 A | |
| 最大漏源电压 | 20 V | |
| 封装类型 | TSSOP | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 40 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 1V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.35V | |
| 最大功率耗散 | 1.3 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±10 V | |
| 长度 | 4.5mm | |
| 宽度 | 3.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 59 nC @ 8V | |
| 高度 | 1.02mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 7.4 A | ||
最大漏源电压 20 V | ||
封装类型 TSSOP | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 40 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 1V | ||
最小栅阈值电压 0.35V | ||
最大功率耗散 1.3 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±10 V | ||
长度 4.5mm | ||
宽度 3.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 59 nC @ 8V | ||
高度 1.02mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
低栅极阈值电压
低接通电阻
ESD 保护门
应用
电池管理应用
电源管理功能
直流 - 直流转换器
低接通电阻
ESD 保护门
应用
电池管理应用
电源管理功能
直流 - 直流转换器