DiodesZetex P沟道增强型MOS管, Vds=450 V, 250 mA, SOT-223, 贴片安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 182-7409
- 制造商零件编号:
- DMP45H150DHE-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-7409
- 制造商零件编号:
- DMP45H150DHE-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 通道类型 | P | |
| 最大连续漏极电流 | 250 mA | |
| 最大漏源电压 | 450 V | |
| 封装类型 | SOT-223 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 150 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 59.4 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 1.8 nC @ 10V | |
| 长度 | 6.55mm | |
| 宽度 | 3.55mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.65mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
通道类型 P | ||
最大连续漏极电流 250 mA | ||
最大漏源电压 450 V | ||
封装类型 SOT-223 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 150 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 59.4 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
典型栅极电荷@Vgs 1.8 nC @ 10V | ||
长度 6.55mm | ||
宽度 3.55mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.65mm | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此 450V 增强模式 P 沟道 MOSFET 为用户提供具有竞争力的规格，可提供高效的功率处理能力、高阻抗，并且可避免热耗散和热感应次级击穿。受益于此器件的应用包括各种电信和一般高电压切换电路。
低栅极驱动
低输入电容
快速切换速度
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
负载切换
不间断电源
低输入电容
快速切换速度
完全无铅
无卤素和无锑。“绿色”设备
应用
负载切换
不间断电源