DiodesZetex N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 82 A, PowerDI5060, 表面安装, 8引脚, DMT系列
- RS 库存编号:
- 182-7454P
- 制造商零件编号:
- DMTH43M8LPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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单位 | 每单位 |
|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 182-7454P
- 制造商零件编号:
- DMTH43M8LPS-13
- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 82A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 系列 | DMT | |
| 包装类型 | PowerDI5060 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 5mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 38.5nC | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 83W | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 宽度 | 5.1 mm | |
| 长度 | 6mm | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 82A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
系列 DMT | ||
包装类型 PowerDI5060 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 5mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 38.5nC | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 83W | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最高工作温度 175°C | ||
宽度 5.1 mm | ||
长度 6mm | ||
高度 1.05mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此新一代 N 沟道增强模式 MOSFET 设计旨在最大程度减少 RDS（接通）损耗但保持卓越的切换性能。
额定温度值为 +175°C - 特别适用于高环境温度环境
100% 非钳制电感切换 - 确保更可靠和坚固的端应用
低 RDS（接通）- 可最大程度减少通态损耗
低输入电容
快速切换速度
应用
BLDC 电机
直流 - 直流转换器
负载开关