DiodesZetex , 2 N型沟道 双 增强型 功率 MOSFET, Vds=60 V, 9.1 A, VDFN, 表面安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 182-7493P
- 制造商零件编号:
- DMT6018LDR-13
- 制造商:
- DiodesZetex
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- 制造商:
- DiodesZetex
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | DiodesZetex | |
| 产品类型 | 功率 MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 9.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | VDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 26mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最大功耗 Pd | 1.9W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 6.2nC | |
| 正向电压 Vf | 0.75V | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 长度 | 3.05mm | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 宽度 | 3.05 mm | |
| 标准/认证 | J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 DiodesZetex | ||
产品类型 功率 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 9.1A | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 VDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 26mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 150°C | ||
最大功耗 Pd 1.9W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 6.2nC | ||
正向电压 Vf 0.75V | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 -55°C | ||
长度 3.05mm | ||
高度 0.8mm | ||
宽度 3.05 mm | ||
标准/认证 J-STD-020, MIL-STD-202, UL 94V-0, AEC-Q101, RoHS | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
此新一代 MOSFET 设计旨在最大程度减少通态电阻（RDS（接通））并保持卓越的切换性能，使其特别适用于高效率电源管理应用。
低接通电阻
低输入电容
快速切换速度
低输入/输出泄漏
应用
电源管理功能
模拟开关