ROHM N沟道增强型MOS管, Vds=20 V, 2.5 A, SOT-323, 贴片安装, 3引脚, RUF025N02系列

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RS 库存编号:
183-5146
制造商零件编号:
RUF025N02TL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

通道类型

N

最大连续漏极电流

2.5 A

最大漏源电压

20 V

系列

RUF025N02

封装类型

SOT-323

安装类型

贴片

引脚数目

3

最大漏源电阻值

160 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

1.3V

最小栅阈值电压

0.3V

最大功率耗散

800 mW

晶体管配置

最大栅源电压

±10 V

长度

2.1mm

最高工作温度

150 °C

宽度

1.8mm

每片芯片元件数目

1

典型栅极电荷@Vgs

5 nC @ 4.5 V

高度

0.82mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

COO (Country of Origin):
JP
功率 MOSFET 是采用微处理技术的低接通电阻设备,适用于广泛的应用。广泛的产品系列包含紧凑型、高功率型和复合型,可满足市场中的各种需求。

低电压 (1.5 V) 驱动类型

N 通道小信号 MOSFET

小型表面安装封装

无铅

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