ROHM N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=2.5 A, 3针, SOT-323, RUF025N02系列

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RS 库存编号:
183-5146
制造商零件编号:
RUF025N02TL
制造商:
ROHM
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品牌

ROHM

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

2.5A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

RUF025N02

包装类型

SOT-323

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

160mΩ

通道模式

增强

最大栅源电压 Vgs

10V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

晶体管配置

宽度

1.8mm

长度

2.1mm

高度

0.82mm

每片芯片元件数目

1

COO (Country of Origin):
JP
功率 MOSFET 是采用微处理技术的低接通电阻设备,适用于广泛的应用。广泛的产品系列包含紧凑型、高功率型和复合型,可满足市场中的各种需求。

低电压 (1.5 V) 驱动类型

N 通道小信号 MOSFET

小型表面安装封装

无铅

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