onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 191 A, SO-8FL, 贴片安装, 8引脚, NTMFS4833NT1G

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184-1065
制造商零件编号:
NTMFS4833NT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

191 A

最大漏源电压

30 V

封装类型

SO-8FL

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

3 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

2.5V

最小栅阈值电压

1.5V

最大功率耗散

113.6 W

晶体管配置

单

最大栅源电压

±20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

4.9mm

最高工作温度

+150 °C

长度

5.8mm

典型栅极电荷@Vgs

88 nC @ 11.5 V

高度

1.05mm

正向二极管电压

1V

最低工作温度

-55 °C

COO (Country of Origin):
MY
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低电容可最大限度地减少驱动器损耗
经过优化的栅极电荷，可最大限度地减少切换损耗
这些都是无铅−器件
应用
请参阅应用手册 AND8195
CPU 电源传输
直流−直流转换器
低侧切换

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