onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 260 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, NTR5103N系列
- RS 库存编号:
- 184-1068
- 制造商零件编号:
- NTR5103NT1G
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥618.00
(不含税)
¥699.00
(含税)
有库存
- 6,000 件将从其他地点发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.206 | RMB618.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.202 | RMB606.00 |
| 12000 + | RMB0.197 | RMB591.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-1068
- 制造商零件编号:
- NTR5103NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 260mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | NTR5103N | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 3Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 0.81nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 300mW | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 260mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 NTR5103N | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 3Ω | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 0.81nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 300mW | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.04mm | ||
高度 1.01mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
小型信号 MOSFET ： 60 V 、 310 mA 、单路、 N−通道、 SOT−23
低 RDS（接通）
SOT-23 - 小型表面安装封装
提高效率
工业标准封装
应用：
低侧负荷开关
水平换档电路
直流−直流转换器