onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=915 mA, 3针, SC-89, NTE系列

查看所有MOSFET
可享批量折扣
查看批量定价选项

小计（1 包，共 100 件）*

RMB117.60

(不含税)

RMB132.90

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
有库存
  • 另外 4,800 件在 2026年9月21日 发货
**需要更多产品？**输入您需要的数量，点击“查看送货日期”，查看库存和送货信息。

单位
每单位
每包*
100 - 700RMB1.176RMB117.60
800 - 1400RMB1.14RMB114.00
1500 +RMB1.106RMB110.60

* 参考价格

包装方式：
RS 库存编号:
184-1203
制造商零件编号:
NTE4153NT1G
制造商:
onsemi
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

N

最大连续漏极电流 Id

915mA

最大漏源电压 Vd

20V

包装类型

SC-89

系列

NTE

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

950mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

1.82nC

最大功耗 Pd

300mW

最大栅源电压 Vgs

6V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

0.8mm

长度

1.7mm

宽度

0.95mm

标准/认证

No

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
小型信号 MOSFET 20V 915mA 230 m Ω 单路 N 通道 SC-89 、带 ESD 保护

低 RDS （ ON ）提高系统效率

低阈值电压， 1.5V 额定值

ESD 保护门

应用：

负载 / 电源开关

电源转换器电路

电池管理

便携式设备、如手机、 PDA 、数码相机、寻呼机等

相关链接