onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=915 mA, 3针, SC-89, NTE系列
- RS 库存编号:
- 184-1203P
- 制造商零件编号:
- NTE4153NT1G
- 制造商:
- onsemi
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- RS 库存编号:
- 184-1203P
- 制造商零件编号:
- NTE4153NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 Id | 915mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 系列 | NTE | |
| 包装类型 | SC-89 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 950mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 300mW | |
| 正向电压 Vf | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 6V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.82nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 0.95mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 0.8mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N | ||
最大连续漏极电流 Id 915mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
系列 NTE | ||
包装类型 SC-89 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 950mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 300mW | ||
正向电压 Vf 1.1V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 6V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.82nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 0.95mm | ||
长度 1.7mm | ||
标准/认证 No | ||
高度 0.8mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
小型信号 MOSFET 20V 915mA 230 m Ω 单路 N 通道 SC-89 、带 ESD 保护
低 RDS （ ON ）提高系统效率
低阈值电压， 1.5V 额定值
ESD 保护门
应用：
负载 / 电源开关
电源转换器电路
电池管理
便携式设备、如手机、 PDA 、数码相机、寻呼机等