onsemi , 2 N型沟道 双 增强型 小信号, Vds=20 V, 540 mA, SOT-563, 表面安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 184-1406P
- 制造商零件编号:
- NTZD3154NT1G
- 制造商:
- onsemi
小计 100 件 (按连续条带形式提供)*
¥102.20
(不含税)
¥115.50
(含税)
有库存
- 另外 4,600 件在 2025年12月22日 发货
**需要更多产品?**输入您需要的数量,点击“查看送货日期”,查看库存和送货信息。
单位 | 每单位 |
|---|---|
| 100 + | RMB1.022 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-1406P
- 制造商零件编号:
- NTZD3154NT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | 小信号 | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 540mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 20V | |
| 包装类型 | SOT-563 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 900mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | 150°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 7 V | |
| 正向电压 Vf | 0.7V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 1.5nC | |
| 最大功耗 Pd | 250mW | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 最高工作温度 | -55°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 1.3 mm | |
| 高度 | 0.6mm | |
| 长度 | 1.7mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 小信号 | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 540mA | ||
最大漏源电压 Vd 20V | ||
包装类型 SOT-563 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 900mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 150°C | ||
最大栅源电压 Vgs 7 V | ||
正向电压 Vf 0.7V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 1.5nC | ||
最大功耗 Pd 250mW | ||
晶体管配置 双 | ||
最高工作温度 -55°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 1.3 mm | ||
高度 0.6mm | ||
长度 1.7mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这是 20 V N 通道功率 MOSFET 。
低 RDS ( ON )提高系统效率
低阈值电压
占地面积小 1.6 x 1.6 毫米
ESD 保护门
应用:
负载 / 电源开关
电源转换器电路
电池管理
