onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 170 mA, SOT-323封装, 表面贴装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 184-4194
- 制造商零件编号:
- BSS123W
- 制造商:
- 安森美
不可供应
RS 不再对该产品备货。
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- BSS123W
- 制造商:
- 安森美
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | 安森美 | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 170 mA | |
| 最大漏源电压 | 100 V | |
| 封装类型 | SOT-323 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 10 Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 0.8V | |
| 最大功率耗散 | 200 mW | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 长度 | 2mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 1.25mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1mm | |
| 正向二极管电压 | 1.3V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 安森美 | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 170 mA | ||
最大漏源电压 100 V | ||
封装类型 SOT-323 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 10 Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 0.8V | ||
最大功率耗散 200 mW | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
长度 2mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 1.25mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1mm | ||
正向二极管电压 1.3V | ||
此 N 通道增强模式 MOSFET 采用高单元密度沟槽 MOSFET 技术制造。该产品在提供坚固、可靠和快速的交换性能的同时，最大限度地降低了对状态的电阻。本产品特别适用于低电压、低电流应用，例如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 闸极驱动器、逻辑电平晶体管、高速线路驱动器、电源管理 / 电源和开关应用。
0.17 A ， 100 V
RDS(on) =6 Ω ， VGS = 10V
RDS(on) =10 Ω ， VGS = 4.5 V
低 RDS 的高密度单元格设计（开）
坚固且可靠
超小型表面安装包
电容极低
快速切换速度
应用
小型伺服马达控制
功率 MOSFET 闸极驱动器
逻辑电平晶体管
高速线路驱动器
电源管理
电源和开关
RDS(on) =6 Ω ， VGS = 10V
RDS(on) =10 Ω ， VGS = 4.5 V
低 RDS 的高密度单元格设计（开）
坚固且可靠
超小型表面安装包
电容极低
快速切换速度
应用
小型伺服马达控制
功率 MOSFET 闸极驱动器
逻辑电平晶体管
高速线路驱动器
电源管理
电源和开关