onsemi P型沟道 增强型 MOSFET, Vds=50 V, 130 mA, SOT-23, 表面安装, 3引脚, BVSS8L系列
- RS 库存编号:
- 184-4197
- 制造商零件编号:
- BVSS84LT1G
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 - 3000 | RMB0.593 | RMB1,779.00 |
| 6000 - 9000 | RMB0.575 | RMB1,725.00 |
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-4197
- 制造商零件编号:
- BVSS84LT1G
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | P型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 130mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 50V | |
| 包装类型 | SOT-23 | |
| 系列 | BVSS8L | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 10Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 225mW | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.2nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 长度 | 3.04mm | |
| 宽度 | 1.4 mm | |
| 高度 | 1.01mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 P型 | ||
最大连续漏极电流 Id 130mA | ||
最大漏源电压 Vd 50V | ||
包装类型 SOT-23 | ||
系列 BVSS8L | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 10Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 225mW | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.2nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
长度 3.04mm | ||
宽度 1.4 mm | ||
高度 1.01mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
汽车功率 MOSFET ，适用于低功耗应用。-50V-130mA 10 欧姆单路 P 通道 SOT-23 逻辑电平。支持 PPAP，适用于汽车应用。
符合 AEC 标准
支持 PPAP
微型 SOT-23 表面安装封装节省了板级空间
汽车 MOSFET
应用
dcdc 转换器
负载切换
便携式和电池供电产品（例如计算机、打印机、蜂窝式电话和无绳电话）的电源管理