onsemi P型沟道增强型MOSFET, Vds=50 V, Id=130 mA, 3针, SOT-23, BVSS8L系列

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184-4197
制造商零件编号:
BVSS84LT1G
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

产品类型

MOSFET

槽架类型

P型

最大连续漏极电流 Id

130mA

最大漏源电压 Vd

50V

系列

BVSS8L

包装类型

SOT-23

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

10Ω

通道模式

增强

最大功耗 Pd

225mW

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

2.2nC

正向电压 Vf

2.2V

最大栅源电压 Vgs

20V

最高工作温度

150°C

长度

3.04mm

标准/认证

No

宽度

1.4mm

高度

1.01mm

汽车标准

AEC-Q101

COO (Country of Origin):
CN
汽车功率 MOSFET ,适用于低功耗应用。-50V-130mA 10 欧姆单路 P 通道 SOT-23 逻辑电平。支持 PPAP,适用于汽车应用。

符合 AEC 标准

支持 PPAP

微型 SOT-23 表面安装封装节省了板级空间

汽车 MOSFET

应用

dcdc 转换器

负载切换

便携式和电池供电产品(例如计算机、打印机、蜂窝式电话和无绳电话)的电源管理

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