onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=60 V, 200 mA, TO-92, 通孔安装, 3引脚, 2N7000系列
- RS 库存编号:
- 184-4881P
- 制造商零件编号:
- 2N7000-D26Z
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 |
|---|---|
| 500 - 900 | RMB1.389 |
| 1000 - 1400 | RMB1.354 |
| 1500 - 1900 | RMB1.321 |
| 2000 + | RMB1.288 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-4881P
- 制造商零件编号:
- 2N7000-D26Z
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 200mA | |
| 最大漏源电压 Vd | 60V | |
| 包装类型 | TO-92 | |
| 系列 | 2N7000 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 9Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最大功耗 Pd | 400mW | |
| 正向电压 Vf | 0.88V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.19 mm | |
| 长度 | 5.2mm | |
| 高度 | 5.33mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 200mA | ||
最大漏源电压 Vd 60V | ||
包装类型 TO-92 | ||
系列 2N7000 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 9Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最大功耗 Pd 400mW | ||
正向电压 Vf 0.88V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.19 mm | ||
长度 5.2mm | ||
高度 5.33mm | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- CN
这些 N 通道小型信号 MOSFET 采用 ON Semiconductor 专有的高单元密度 DMOS 技术。这些产品旨在最大限度地降低电阻，同时提供坚固、可靠和快速的交换性能。它们可用于大多数需要高达 400mA 直流电的应用中，并可提供高达 2A 的脉冲电流这些产品特别适合低压低电流应用。
电压控制小信号开关
高饱和度电流能力
坚固且可靠
低 RDS 的高密度单元格设计（开）
应用
小型伺服马达控制
功率 MOSFET 闸极驱动器
分类切换应用