onsemi , 2 N型沟道 双 增强型 MOSFET, Vds=30 V, 2.9 A, WDFN, 表面安装, 6引脚, PowerTrench系列, FDMA2002NZ
- RS 库存编号:
- 184-5019
- 制造商零件编号:
- FDMA2002NZ
- 制造商:
- onsemi
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 20 - 740 | RMB4.975 | RMB99.50 |
| 760 - 1480 | RMB4.825 | RMB96.50 |
| 1500 + | RMB4.681 | RMB93.62 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 184-5019
- 制造商零件编号:
- FDMA2002NZ
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 2.9A | |
| 最大漏源电压 Vd | 30V | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 系列 | PowerTrench | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 268mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 1.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 12 V | |
| 正向电压 Vf | 0.9V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 2.4nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 2mm | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 宽度 | 2 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 2.9A | ||
最大漏源电压 Vd 30V | ||
包装类型 WDFN | ||
系列 PowerTrench | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 268mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 1.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 12 V | ||
正向电压 Vf 0.9V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 2.4nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
长度 2mm | ||
高度 0.75mm | ||
宽度 2 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
- COO (Country of Origin):
- TH
此设备专门设计为单个封装解决方案，可满足手机和其它超便携应用中的双重交换要求。它具有两个独立的 N 通道 MOSFET ，具有低导通电阻，可实现最小传导损耗。MicroFET 2x2 为其物理尺寸提供卓越的热性能，非常适合线性模式应用。
2.9 A ， 30 V
RDS (on) =123 m Ω @VGS =4.5 V
RDS (on) =140 M Ω @VGS =3.0 V
RDS (on) =163 m Ω @VGS =2.5 V
薄型 - 最大 0.8 mm - 新封装 MicroFET 2x2mm
HBM ESD Protection Level =1.8kV （注释 3 ）
无卤化合物和锑氧化物
应用
本产品是一般用途，适用于多种不同的应用场合