onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 252 A, LFPAK, 表面安装, 4引脚, NVMYS1D3N04C系列
- RS 库存编号:
- 185-8162
- 制造商零件编号:
- NVMYS1D3N04CTWG
- 制造商:
- onsemi
小计（1 卷，共 3000 件）*
¥24,801.00
(不含税)
¥28,026.00
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 3,000 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每卷* |
|---|---|---|
| 3000 + | RMB8.267 | RMB24,801.00 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-8162
- 制造商零件编号:
- NVMYS1D3N04CTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 252A | |
| 最大漏源电压 Vd | 40V | |
| 包装类型 | LFPAK | |
| 系列 | NVMYS1D3N04C | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.15mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 75nC | |
| 最大功耗 Pd | 134W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 4.25 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 252A | ||
最大漏源电压 Vd 40V | ||
包装类型 LFPAK | ||
系列 NVMYS1D3N04C | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.15mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 75nC | ||
最大功耗 Pd 134W | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 1.2mm | ||
长度 5mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 4.25 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- PH
汽车功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封装，设计紧凑高效，具有高热性能。MOSFET 和 PPAP 适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。
体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
LFPK4 封装，工业标准
支持 PPAP
这些设备无铅