onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=80 V, 12 A, WDFN, 表面安装, 8引脚, NVTFS6H888N系列
- RS 库存编号:
- 185-8164
- 制造商零件编号:
- NVTFS6H888NTAG
- 制造商:
- onsemi
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产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 12A | |
| 最大漏源电压 Vd | 80V | |
| 系列 | NVTFS6H888N | |
| 包装类型 | WDFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 55mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 18W | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 4.7nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20 V | |
| 最高工作温度 | 175°C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 3.15mm | |
| 宽度 | 3.15 mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 12A | ||
最大漏源电压 Vd 80V | ||
系列 NVTFS6H888N | ||
包装类型 WDFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻 Rd 55mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 18W | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 4.7nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 20 V | ||
最高工作温度 175°C | ||
高度 0.75mm | ||
标准/认证 No | ||
长度 3.15mm | ||
宽度 3.15 mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- MY
汽车功率 MOSFET 采用 3 x 3 mm 扁平引线封装，设计用于紧凑型高效设计，包括高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。支持 MOSFET 和 PPAP，适用于汽车应用。
体积小（ 3.3 x 3.3 毫米）
低接通电阻
低电容
NVTFS6H850 NWF-Wetable Flanks 产品
支持 PPAP
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
增强型光学检验
适用于汽车应用
应用
反向器电池保护
电源开关（高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等）
切换电源
最终产品
电磁阀驱动器 – ABS，燃油喷射
电动机控制 - EPS 、雨刷、风扇、座椅等
负载开关 - ECU 、底盘、车身