onsemi N沟道耗尽型MOS管, TO-247封装, 通孔安装, 3引脚

不可供应
RS 不再对该产品备货。
包装方式:
RS 库存编号:
185-9010
制造商零件编号:
FGY75T120SQDN
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

封装类型

TO-247

安装类型

通孔

引脚数目

3

通道模式

耗尽

最大栅阈值电压

6.5V

最小栅阈值电压

4.5V

最大功率耗散

790 W

晶体管配置

典型栅极电荷@Vgs

399

长度

15.87mm

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

宽度

4.82mm

高度

20.82mm

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

4V

不符合

COO (Country of Origin):
CN
此绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 具有坚固且经济高效的 Ultra 现场停止沟槽结构,可在要求苛刻的开关应用中提供卓越的性能,提供低电压和最小开关损耗。IGBT 非常适合 UPS 和太阳能应用。该设备内置了一个柔软且快速的共封装续流二极管,具有低正向电压。

具有超现场停止技术的高效沟道
TJmax = 175°C
软快速反向恢复二极管
专为高速切换而优化
这些是无铅器件
应用
光伏逆变器
UPS
最终产品
工业