onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=100 V, 80 A, DFN, 贴片安装, 8引脚

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包装方式:
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185-9082
制造商零件编号:
FDWS86068-F085
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

80 A

最大漏源电压

100 V

封装类型

DFN

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

6.4 mΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

214 W

晶体管配置

最大栅源电压

±20 V

每片芯片元件数目

1

长度

5.1mm

典型栅极电荷@Vgs

31 nC @ 10 V

最高工作温度

+150 °C

宽度

6.3mm

汽车标准

AEC-Q101

正向二极管电压

1.3V

高度

1.05mm

最低工作温度

-55 °C

不符合

COO (Country of Origin):
PH
N 通道 PowerTrench ® MOSFET 100V 、 80A 、 4.5m Ω

典型 RDS (on) =5.2 M Ω , VGS =10 V , ID =80 A
典型 QG (TOT) =31 常开, VGS = 10V , ID = 80A
UIS 能力
这些设备无铅
用于自动光学检测 (AOI) 的湿表法兰
应用
汽车发动机控制
传动系统管理
电磁阀和电动机驱动器
电子转向

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