onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 235 A, LFPAK8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 185-9186
- 制造商零件编号:
- NVMJS1D3N04CTWG
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 4 件）*
¥78.20
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单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 4 - 748 | RMB19.55 | RMB78.20 |
| 752 - 1496 | RMB18.965 | RMB75.86 |
| 1500 + | RMB18.395 | RMB73.58 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 185-9186
- 制造商零件编号:
- NVMJS1D3N04CTWG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 235 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | LFPAK8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 1.3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最大功率耗散 | 128 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 4.9mm | |
| 长度 | 5mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 65nc @10V | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 高度 | 1.2mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 235 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 LFPAK8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 1.3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3.5V | ||
最小栅阈值电压 2.5V | ||
最大功率耗散 128 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 4.9mm | ||
长度 5mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 65nc @10V | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
高度 1.2mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- PH
汽车功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封装，设计紧凑高效，具有高热性能。MOSFET 和 PPAP 适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。
体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK8 封装，工业标准
支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
LFPAK8 封装，工业标准
支持 PPAP
这些设备无铅、无卤素/无 BFR