制造商编号

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=235 A, 8针, LFPAK, NVMJS1D3N04C系列

RS 库存编号:: 185-9186
制造商零件编号:: NVMJS1D3N04CTWG
制造商:: onsemi

onsemi N沟道增强型MOSFET, Vds=40 V, Id=235 A, 8针, LFPAK, NVMJS1D3N04C系列

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* 参考价格

RS 库存编号:: 185-9186
制造商零件编号:: NVMJS1D3N04CTWG
制造商:: onsemi

产品技术参数

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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	产品类型	MOSFET
	槽架类型	N
	最大连续漏极电流 Id	235A
	最大漏源电压 Vd	40V
	系列	NVMJS1D3N04C
	包装类型	LFPAK
	安装类型	表面
	引脚数目	8
	最大漏源电阻 Rd	1.3mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	128W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	65nC
	正向电压 Vf	1.2V
	最大栅源电压 Vgs	20V
	最高工作温度	175°C
	长度	5mm
	标准/认证	No
	宽度	4.9mm
	高度	1.2mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 onsemi
	产品类型 MOSFET
	槽架类型 N
	最大连续漏极电流 Id 235A
	最大漏源电压 Vd 40V
	系列 NVMJS1D3N04C
	包装类型 LFPAK
	安装类型表面
	引脚数目 8
	最大漏源电阻 Rd 1.3mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 128W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 65nC
	正向电压 Vf 1.2V
	最大栅源电压 Vgs 20V
	最高工作温度 175°C
	长度 5mm
	标准/认证 No
	宽度 4.9mm
	高度 1.2mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet NVMJS1D3N04CTWG

不符合

COO (Country of Origin):: PH

汽车功率 MOSFET 采用 5x6mm LFPK 封装，设计紧凑高效，具有高热性能。MOSFET 和 PPAP 适用于需要增强板级可靠性的汽车应用。

体积小巧 (5 x 6 mm)，可实现紧凑设计

低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗

低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗

LFPAK8 封装，工业标准

支持 PPAP

这些设备无铅、无卤素/无 BFR

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