onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 24 A, PQFN, 表面安装, 4引脚, FCMT系列
- RS 库存编号:
- 185-9219P
- 制造商零件编号:
- FCMT125N65S3
- 制造商:
- onsemi
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- FCMT125N65S3
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 24A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 系列 | FCMT | |
| 包装类型 | PQFN | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 4 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 125mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 49nC | |
| 最大功耗 Pd | 181W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 1.05mm | |
| 长度 | 8mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 24A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
系列 FCMT | ||
包装类型 PQFN | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 4 | ||
最大漏源电阻 Rd 125mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 49nC | ||
最大功耗 Pd 181W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 1.05mm | ||
长度 8mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
不符合
- COO (Country of Origin):
- PH
TJ = 150 oC 时为 700 V
无引线超薄 SMD 封装
Kelvin 触点
超低栅极电荷（典型值 QG = 49 常闭）
低有效输出电容（典型值 Coss （有效） = 406 pF ）
优化的电容
典型值 RDS （开） = 100 mΩ
内部栅极电阻：0.5 Ω
低温运行时系统可靠性更高
高功率密度
低栅噪声和开关损耗
低切换损耗
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用
电信
云系统
工业
最终产品
电信电源
服务器电源
LED 照明
适配器
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