onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 420 A, DFNW8, 贴片安装, 8引脚

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包装方式:
RS 库存编号:
185-9222P
制造商零件编号:
NVMTS0D7N04CTXG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

420 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

DFNW8

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

670 μΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

205 W

晶体管配置

最大栅源电压

±20 V

最高工作温度

+175 °C

每片芯片元件数目

1

长度

8.1mm

宽度

8mm

典型栅极电荷@Vgs

140 nC @ 10 V

最低工作温度

-55 °C

正向二极管电压

1.2V

高度

1.15mm

汽车标准

AEC-Q101

不符合

COO (Country of Origin):
PH
汽车功率 MOSFET 采用 8x8mm 扁平引线封装,设计紧凑高效,具有高热性能。可润侧翼选件可用于增强型光学检验。支持 MOSFET 和 PPAP,适用于汽车应用。

体积小( 8 x 8 毫米)
低 RDS(接通)
低 QG 和电容
可润侧翼选件
支持 PPAP
紧凑设计
最大限度地减少传导损耗
最大限度地减少驱动器损耗
增强型光学检验
应用
反向器电池保护
切换电源
电源开关(高侧驱动器、低侧驱动器、半桥等)
最终产品
电动机控制 - EPS 、雨刷、风扇、座椅等
负载开关 - ECU 、底盘、车身

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