onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 300 A, MO-299a.封装, 表面贴装, 8引脚

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RS 不再对该产品备货。
包装方式:
RS 库存编号:
185-9240
制造商零件编号:
NVBLS0D5N04M8TXG
制造商:
onsemi
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品牌

onsemi

通道类型

N

最大连续漏极电流

300 A

最大漏源电压

40 V

封装类型

MO-299a.

安装类型

贴片

引脚数目

8

最大漏源电阻值

570 μΩ

通道模式

增强

最大栅阈值电压

4V

最小栅阈值电压

2V

最大功率耗散

429 W

晶体管配置

最大栅源电压

±20 V

每片芯片元件数目

1

宽度

11.78mm

长度

9.9mm

典型栅极电荷@Vgs

220 nC @ 10 V

最高工作温度

+175 °C

最低工作温度

-55 °C

汽车标准

AEC-Q101

正向二极管电压

1.25V

高度

2.4mm

不符合

COO (Country of Origin):
PH
功率 MOSFET , 40V , 300A , 0.57M Ω ,单 N 通道。至 LL 封装,可实现高功率密度和更高的散热性能。

低 QG 和电容
低 RDS(接通)
支持 PPAP
无铅
UIS 能力
最大限度地减少驱动器损耗
最大限度地减少传导损耗
符合汽车规格
应用
用于 12 V 系统的主开关
汽车发动机控制
PowerTrain 管理
内置起动器 / 发电机
电磁阀和电动机驱动器
最终产品
汽车发动机控制单元 (ECU)
高电流马达驱动器
12V 汽车系统