onsemi N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 554.5 A, DFNW8, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 186-1352
- 制造商零件编号:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- 制造商:
- onsemi
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-1352
- 制造商零件编号:
- NTMTS0D6N04CLTXG
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 554.5 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | DFNW8 | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 660 μΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.2V | |
| 最大功率耗散 | 245.4 瓦 | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 长度 | 8.1mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 8mm | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 126 nc @ 4.5 V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 1.15mm | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 554.5 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 DFNW8 | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 660 μΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2V | ||
最小栅阈值电压 1.2V | ||
最大功率耗散 245.4 瓦 | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
长度 8.1mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 8mm | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 126 nc @ 4.5 V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 1.15mm | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
不符合
体积小（ 8 x 8 毫米），设计紧凑
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
典型应用
电动工具、电池操作的真空装置
UAV/DRONES ，材料处理
BMS/ 存储、家庭自动化
低 RDS（接通），可最大限度地减少传导损耗
低 QG 和低电容可最大限度地减少驱动器损耗
这些设备无铅、无卤素/无 BFR
典型应用
电动工具、电池操作的真空装置
UAV/DRONES ，材料处理
BMS/ 存储、家庭自动化