onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 30 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, NTP110N65S3HF
- RS 库存编号:
- 186-1355
- 制造商零件编号:
- NTP110N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
可享批量折扣
小计（1 包，共 2 件）*
¥81.92
(不含税)
¥92.56
(含税)
最后的 RS 库存
- 最终 756 个，准备发货
单位 | 每单位 | 每包* |
|---|---|---|
| 2 - 198 | RMB40.96 | RMB81.92 |
| 200 - 398 | RMB39.73 | RMB79.46 |
| 400 + | RMB38.545 | RMB77.09 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-1355
- 制造商零件编号:
- NTP110N65S3HF
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-220 | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 110mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 240W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 62nC | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 高度 | 16.3mm | |
| 宽度 | 4.7 mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-220 | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 110mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 240W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 62nC | ||
最高工作温度 150°C | ||
标准/认证 No | ||
长度 10.67mm | ||
高度 16.3mm | ||
宽度 4.7 mm | ||
汽车标准 否 | ||
不符合
SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此， SUPERFET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高的效率。SUPERFET III FRFET MOSFET 经过优化的主体二极管反向恢复性能，可消除额外的元件并提高系统可靠性。
TJ = 150 °C 时为 700 V
超低栅极电荷（典型值 QG = 62 常闭）
低有效输出电容（典型值 Coss （有效） = 522 pF ）
优化的电容
极佳的主体二极管性能（低 Qrr、坚固的主体二极管）
典型值 RDS （开） = 98 mΩ
低温运行时系统可靠性更高
低切换损耗
低切换损耗
在 LLC 和相移全桥电路中具有更高的系统可靠性
更低的峰值 VDS 和更低的 VGS 振荡
应用
电信
云系统
工业
最终产品
电信电源
服务器电源
EV 充电器
太阳能/UPS