onsemi N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 44 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SuperFET III MOSFET Easy-drive系列

RS 库存编号:: 186-1461P
制造商零件编号:: NVB072N65S3
制造商:: onsemi

onsemi N型沟道增强型 MOSFET, Vds=650 V, 44 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SuperFET III MOSFET Easy-drive系列

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制造商:: onsemi

产品技术参数

产品技术参数资料

法例与合规

产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	onsemi
	槽架类型	N型
	产品类型	MOSFET
	最大连续漏极电流 Id	44A
	最大漏源电压 Vd	650V
	包装类型	TO-263
	系列	SuperFET III MOSFET Easy-drive
	安装类型	表面
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	107mΩ
	通道模式	增强
	最低工作温度	-55°C
	最大功耗 Pd	312W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	82nC
	最高工作温度	150°C
	标准/认证	No
	长度	10.67mm
	高度	4.58mm
	汽车标准	AEC-Q101

	选择全部
	品牌 onsemi
	槽架类型 N型
	产品类型 MOSFET
	最大连续漏极电流 Id 44A
	最大漏源电压 Vd 650V
	包装类型 TO-263
	系列 SuperFET III MOSFET Easy-drive
	安装类型表面
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 107mΩ
	通道模式增强
	最低工作温度 -55°C
	最大功耗 Pd 312W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 82nC
	最高工作温度 150°C
	标准/认证 No
	长度 10.67mm
	高度 4.58mm
	汽车标准 AEC-Q101

Datasheet NVB072N65S3

SUPERFET III MOSFET 是 ON Semiconductor 的全新高电压超接合 (SJ) MOSFET 系列，利用电荷平衡技术实现出色的低接通电阻和更低的栅极电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，SUPERFET III MOSFET Easy Drive 系列有助于管理电磁干扰问题，更易于设计实施。

TJ = 150°C 时为 700 V

超低栅极电荷（典型 Qg = 78 nC）

低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 715 pF）

支持 PPAP

典型值 RDS (on) =63 M Ω

低温运行时系统可靠性更高

低切换损耗

支持 PPAP

HV DC/DC 转换器

板载充电器

DC/DC 转换器

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