onsemi N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=650 V, 40 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, NVB082N65S3F
- RS 库存编号:
- 186-1481
- 制造商零件编号:
- NVB082N65S3F
- 制造商:
- onsemi
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 186-1481
- 制造商零件编号:
- NVB082N65S3F
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 40A | |
| 最大漏源电压 Vd | 650V | |
| 包装类型 | TO-263 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 82mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 81nC | |
| 最大功耗 Pd | 313W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 4.58mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 宽度 | 9.65 mm | |
| 长度 | 10.67mm | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 40A | ||
最大漏源电压 Vd 650V | ||
包装类型 TO-263 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 82mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 81nC | ||
最大功耗 Pd 313W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 4.58mm | ||
标准/认证 No | ||
宽度 9.65 mm | ||
长度 10.67mm | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
不符合
超 FET ® III MOSFET ON Semiconductor 公司全新的高电压超级结点 (SJ) MOSFET 系列，采用充电平衡技术，可提供出色的低导通电阻和更低栅电荷性能。这种先进的技术专门用于最大限度地降低传导损耗，提供卓越的切换性能，并能承受极端的 dv/dt 速率。因此，超 FET III MOSFET 非常适合各种功率系统，以实现小型化和更高效率。超 FET III FFET ® MOSFET 的主体二极管优化反向恢复性能，可消除额外元件，提高系统可靠性。
TJ = 150°C 时为 700 V
典型值 RDS (on) =64m
超低栅极电荷（典型 Qg = 81 nC）
低有效输出电容（典型 Coss(eff.) = 722 pF）
这些设备无铅
典型应用
车载充电器
用于 HEV 的汽车 DC/DC 转换器