onsemi , 2 N型沟道 双 MOSFET, Vds=100 V, 1 A, TSOT-23, 表面安装, 6引脚
- RS 库存编号:
- 186-8997P
- 制造商零件编号:
- FDC3601N
- 制造商:
- onsemi
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- 186-8997P
- 制造商零件编号:
- FDC3601N
- 制造商:
- onsemi
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | onsemi | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 100V | |
| 包装类型 | TSOT-23 | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 6 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 550mΩ | |
| 最大栅源电压 Vgs | ±20 V | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 3.7nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大功耗 Pd | 0.96W | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 晶体管配置 | 双 | |
| 标准/认证 | No | |
| 高度 | 1mm | |
| 长度 | 3.1mm | |
| 宽度 | 3 mm | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 onsemi | ||
槽架类型 N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 1A | ||
最大漏源电压 Vd 100V | ||
包装类型 TSOT-23 | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 6 | ||
最大漏源电阻 Rd 550mΩ | ||
最大栅源电压 Vgs ±20 V | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 3.7nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大功耗 Pd 0.96W | ||
最高工作温度 150°C | ||
晶体管配置 双 | ||
标准/认证 No | ||
高度 1mm | ||
长度 3.1mm | ||
宽度 3 mm | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
汽车标准 否 | ||
这些 N 通道 100V 指定 MOSFET 采用 Advanced PowerTrench 工艺制造，该工艺经过特别定制，可最大程度地降低电阻，同时保持低栅电荷，从而提供卓越的开关性能。这些器件的设计旨在为那些价格较高的 SO-8 和 TSSOP-8 封装不实用的应用提供超凡的功耗。
1.0 A ， 100 V
RDS (on) =500M Ω @VGS =10V
RDS (on) =550 M Ω @VGS =6 V
低栅电荷（典型 3.7NC ）
快速切换速度
高性能沟槽技术，用于极低的 RDS (on)
SuperSOT ™ -6 封装：体积小 72% （小于标准 SO-8 封装），薄型（ 1mm 厚）
应用
该产品可通用，适用于许多不同的应用。