Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, E系列

RS 库存编号:: 188-4870
制造商零件编号:: SIHA100N60E-GE3
制造商:: Vishay

Vishay N型沟道增强型功率 MOSFET, Vds=600 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, E系列

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制造商零件编号:: SIHA100N60E-GE3
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产品详细信息

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选择全部	属性	值
	品牌	Vishay
	产品类型	功率 MOSFET
	槽架类型	N型
	最大连续漏极电流 Id	12A
	最大漏源电压 Vd	600V
	系列	E
	包装类型	TO-220
	安装类型	通孔
	引脚数目	3
	最大漏源电阻 Rd	0.1Ω
	通道模式	增强
	最大功耗 Pd	35W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs	33nC
	最低工作温度	-55°C
	最大栅源电压 Vgs	30V
	正向电压 Vf	1.2V
	最高工作温度	150°C
	长度	10.3mm
	宽度	4.7mm
	标准/认证	RoHS
	高度	15.3mm
	汽车标准	否

	选择全部
	品牌 Vishay
	产品类型功率 MOSFET
	槽架类型 N型
	最大连续漏极电流 Id 12A
	最大漏源电压 Vd 600V
	系列 E
	包装类型 TO-220
	安装类型通孔
	引脚数目 3
	最大漏源电阻 Rd 0.1Ω
	通道模式增强
	最大功耗 Pd 35W
	典型栅极电荷 Qg @ Vgs 33nC
	最低工作温度 -55°C
	最大栅源电压 Vgs 30V
	正向电压 Vf 1.2V
	最高工作温度 150°C
	长度 10.3mm
	宽度 4.7mm
	标准/认证 RoHS
	高度 15.3mm
	汽车标准否

Datasheet SIHA100N60E-GE3

Vishay E 系列功率 MOSFET,600 V 最大漏源电压,12 A 最大连续漏电流 - SIHA100N60E-GE3

这款功率 MOSFET 是一款高电压 N 通道晶体管,专为要求严苛的电气系统中的开关和功率控制而设计。它作为增强模式设备运行,采用通孔 TO-220 封装,带三个引脚,便于直接安装印刷电路板。该组件专为需要稳健电压处理和实用组装的应用而设计。

特性和优点：

• 600V 排放额定值可实现高电压开关应用
• 12 A 连续漏电流支持中等负载电流
• 0.1Ω Rds(on)可减少运行过程中的导电损耗
• 33nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关行为
• 35W 功耗可处理大量热负载
• 最高工作温度为150°C,支持高温使用

应用

• 适用于自动化设备的高压电机驱动级
• 适用于处理高电压的开关模式电源
• 用于工业逆变器和转换器开关元件
• 可用于控制面板中的继电器和接触器驱动电路

安装可靠时需要哪种安装方法?

该设备采用通孔安装方式,采用TO-220主体,可在焊接到PCB时提供安全的机械和热连接,并可通过封装片拧紧到散热器上。

栅极电压范围对控制电路设计有何影响?

最大栅极-源额定值为 30 V,因此栅极驱动器应保持在此限值范围内,通常在通用逻辑电平电压下工作,与增强模式 N 通道控制兼容。

它在运行过程中能承受哪些极端环境温度?

它的额定工作温度低至-55°C和高达150°C,可在低温和高温工业环境中使用。

对处置或重复使用是否有法规或材料考虑?

该组件符合 RoHS 标准,表明在制造过程中限制使用某些危险物质。

Vishay N型沟道 增强型 功率 MOSFET, Vds=600 V, 12 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, E系列

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