Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=19 A, 3针, TO-263, SiHB22N60EF系列

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RS 库存编号:
188-4872
制造商零件编号:
SIHB22N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SiHB22N60EF

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

182mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48nC

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

最大栅源电压 Vgs

30V

最大功耗 Pd

179W

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

宽度

9.65mm

长度

10.41mm

高度

4.57mm

汽车标准

否

具有快速主体二极管的 EF 系列功率 MOSFET 。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低输入电容 (Ciss)

减少切换和传导损耗

应用

服务器和电信电源

开关模式电源 (SMPS)

功率因数校正电源 (PFC)

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