Vishay N沟道增强型MOSFET, Vds=600 V, Id=61 A, 3针, TO-247, SiHG039N60EF系列

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RS 库存编号:
188-4875
制造商零件编号:
SIHG039N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

61A

最大漏源电压 Vd

600V

包装类型

TO-247

系列

SiHG039N60EF

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

40mΩ

通道模式

增强

最大功耗 Pd

357W

正向电压 Vf

1.2V

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

84nC

最大栅源电压 Vgs

30V

最高工作温度

150°C

标准/认证

No

长度

15.87mm

高度

20.82mm

宽度

5.31mm

汽车标准

否

具有快速主体二极管的 EF 系列功率 MOSFET 。

第四代 E 系列技术

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低有效电容（ CO （ ER ））

应用

服务器和电信电源

开关模式电源 (SMPS)

功率因数校正电源 (PFC)

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