Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=800 V, 17.4 A, TO-247AC, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 188-4876
- 制造商零件编号:
- SIHG21N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 25 - 25 | RMB22.484 | RMB562.10 |
| 50 - 75 | RMB21.81 | RMB545.25 |
| 100 + | RMB21.156 | RMB528.90 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-4876
- 制造商零件编号:
- SIHG21N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 17.4 A | |
| 最大漏源电压 | 800 V | |
| 封装类型 | TO-247AC | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 235 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 4V | |
| 最小栅阈值电压 | 2V | |
| 最大功率耗散 | 32 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±30 V | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 48 nC @ 10 V | |
| 正向二极管电压 | 1.2V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 17.4 A | ||
最大漏源电压 800 V | ||
封装类型 TO-247AC | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 235 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 4V | ||
最小栅阈值电压 2V | ||
最大功率耗散 32 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±30 V | ||
长度 15.87mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
宽度 5.31mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 48 nC @ 10 V | ||
正向二极管电压 1.2V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 20.82mm | ||
E 系列功率 MOSFET 。
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容（ CO （ ER ））
减少切换和传导损耗
应用
服务器和电信电源
开关模式电源 (SMPS)
功率因数校正电源 (PFC)
低有效电容（ CO （ ER ））
减少切换和传导损耗
应用
服务器和电信电源
开关模式电源 (SMPS)
功率因数校正电源 (PFC)