Vishay N沟道增强型功率MOSFET, Vds=800 V, Id=17.4 A, 3针, TO-247AC, E系列
- RS 库存编号:
- 188-4876
- 制造商零件编号:
- SIHG21N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 188-4876
- 制造商零件编号:
- SIHG21N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | N | |
| 产品类型 | 功率MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 17.4A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 包装类型 | TO-247AC | |
| 系列 | E | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 235mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 179W | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 48nC | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30V | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 宽度 | 5.31mm | |
| 标准/认证 | RoHS | |
| 长度 | 15.87mm | |
| 高度 | 20.82mm | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 N | ||
产品类型 功率MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 17.4A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
包装类型 TO-247AC | ||
系列 E | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 235mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 179W | ||
最低工作温度 -55°C | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 48nC | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
最大栅源电压 Vgs 30V | ||
最高工作温度 150°C | ||
宽度 5.31mm | ||
标准/认证 RoHS | ||
长度 15.87mm | ||
高度 20.82mm | ||
汽车标准 否 | ||
Vishay E系列功率MOSFET，800V漏源电压，17.4A连续漏极电流 - SIHG21N80AE-GE3
这款功率MOSFET是一款高压N沟道开关器件，专为工业和电源转换环境而设计。它作为增强型晶体管工作，能够处理大电压和电流，并采用 TO-247AC 封装进行通孔安装。该器件适用于需要在宽环境温度范围内进行可靠的半导体开关操作的系统。
特性和优点：
• 800V漏极额定值可实现高压开关能力
• 连续漏极电流为17.4A，支持大负载电流
• 导通电阻为235mΩ，可降低导通损耗
• 179W 功耗，支持高功率运行
• 典型栅极电荷为48nC，可产生可预测的开关能量
• 30V栅极额定值，支持常用的栅极驱动电压
• 连续漏极电流为17.4A，支持大负载电流
• 导通电阻为235mΩ，可降低导通损耗
• 179W 功耗，支持高功率运行
• 典型栅极电荷为48nC，可产生可预测的开关能量
• 30V栅极额定值，支持常用的栅极驱动电压
应用
• 适用于工业高压电源
• 适用于变频器和电机驱动开关级应用
• 用于电源转换器的硬开关拓扑结构
• 可用于需要高电压的D类音频放大器
• 适用于能源与可再生电力电子领域
• 适用于变频器和电机驱动开关级应用
• 用于电源转换器的硬开关拓扑结构
• 可用于需要高电压的D类音频放大器
• 适用于能源与可再生电力电子领域
我可以安全使用的栅极驱动电压范围是多少？
该器件适用的最大栅源电压为30V，因此应设计栅极驱动电路以保持在此限制范围内，从而避免栅极应力。
它在极端温度条件下的表现如何？
该晶体管的额定工作温度范围为-55°C至150°C，在采取适当热管理措施的情况下，可用于高温工业装置。
PCB设计有哪些安装注意事项？
它采用通孔式TO-247AC封装，因此电路板布局应包含适合该封装占位面积的孔间距和散热措施。
根据栅极特性，预期将有什么样的开关行为？
凭借典型的总栅极电荷48nC，设计人员可以估算开关能量，并为其拓扑结构选择能够平衡开关速度与电磁干扰的栅极驱动器。
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