Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=600 V, 19 A, TO-220, 通孔安装, 3引脚, SiHP22N60EF系列

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制造商零件编号:
SIHP22N60EF-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

19A

最大漏源电压 Vd

600V

系列

SiHP22N60EF

包装类型

TO-220

安装类型

通孔

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

182mΩ

通道模式

增强

正向电压 Vf

1.2V

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

48nC

最大栅源电压 Vgs

30 V

最大功耗 Pd

179W

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

宽度

4.65 mm

长度

10.51mm

高度

9.01mm

标准/认证

No

汽车标准

具有快速主体二极管的 EF 系列功率 MOSFET 。

低品质因数 (FOM) Ron x Qg

低输入电容 (Ciss)

减少切换和传导损耗

应用

服务器和电信电源

开关模式电源 (SMPS)

功率因数校正电源 (PFC)

该产品为定制化产品,不可取消或退货,并遵循RS销售条款和条件。