Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=60 V, 52 A, PowerPAK 1212-8SCD, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 188-4891
- 制造商零件编号:
- SiSF20DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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- RS 库存编号:
- 188-4891
- 制造商零件编号:
- SiSF20DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 52 A | |
| 最大漏源电压 | 60 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212-8SCD | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 18 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 3V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 69.4 W | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 长度 | 3.4mm | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 22 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 2 | |
| 宽度 | 3.4mm | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 0.75mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 52 A | ||
最大漏源电压 60 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212-8SCD | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 18 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 3V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 69.4 W | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
长度 3.4mm | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
典型栅极电荷@Vgs 22 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 2 | ||
宽度 3.4mm | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 0.75mm | ||
共漏极双 N 通道 60V (S1-S2) MOSFET 。
TrenchFET® 第四代功率 MOSFET
电阻极低的源到源
采用紧凑且热增强型封装的集成共漏极 N 通道 MOSFET
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采用紧凑且热增强型封装的集成共漏极 N 通道 MOSFET