Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=30 V, 20 A, PowerPAK 1212-8SH, 贴片安装, 8引脚
- RS 库存编号:
- 188-4899
- 制造商零件编号:
- SiSHA14DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-4899
- 制造商零件编号:
- SiSHA14DN-T1-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
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产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 20 A | |
| 最大漏源电压 | 30 V | |
| 封装类型 | PowerPAK 1212-8SH | |
| 安装类型 | 贴片 | |
| 引脚数目 | 8 | |
| 最大漏源电阻值 | 8 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.2V | |
| 最小栅阈值电压 | 1.1V | |
| 最大功率耗散 | 26.5 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | -16 V，+20 V | |
| 最高工作温度 | +150 °C | |
| 宽度 | 3.3mm | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 19.4 常开 @10 伏 | |
| 长度 | 3.3mm | |
| 高度 | 0.93mm | |
| 正向二极管电压 | 1.1V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 20 A | ||
最大漏源电压 30 V | ||
封装类型 PowerPAK 1212-8SH | ||
安装类型 贴片 | ||
引脚数目 8 | ||
最大漏源电阻值 8 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.2V | ||
最小栅阈值电压 1.1V | ||
最大功率耗散 26.5 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 -16 V，+20 V | ||
最高工作温度 +150 °C | ||
宽度 3.3mm | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
典型栅极电荷@Vgs 19.4 常开 @10 伏 | ||
长度 3.3mm | ||
高度 0.93mm | ||
正向二极管电压 1.1V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
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