Vishay P型沟道增强型MOSFET, Vds=20 V, Id=111.9 A, 8针, PowerPAK 1212, SiSS61DN系列

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RS 库存编号:
188-4905
制造商零件编号:
SiSS61DN-T1-GE3
制造商:
Vishay
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品牌

Vishay

槽架类型

P型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

111.9A

最大漏源电压 Vd

20V

系列

SiSS61DN

包装类型

PowerPAK 1212

安装类型

表面

引脚数目

8

最大漏源电阻 Rd

9.8mΩ

通道模式

增强

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

154nC

最大栅源电压 Vgs

8V

最大功耗 Pd

65.8W

正向电压 Vf

-1.2V

最低工作温度

-55°C

最高工作温度

150°C

高度

0.78mm

长度

3.3mm

标准/认证

No

宽度

3.3mm

汽车标准

否

P 通道 20V (D-S) MOSFET 。

TrenchFET® Gen III P 通道功率 MOSFET

领先 RDS(on) ，采用紧凑且热增强的封装

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