Vishay , 3 P型, N型沟道 共漏极 增强型 MOSFET, Vds=200 V, 30 A, 三死, 表面安装, 10引脚, TrenchFET系列
- RS 库存编号:
- 188-4925
- 制造商零件编号:
- SQUN702E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
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- 188-4925
- 制造商零件编号:
- SQUN702E-T1_GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 槽架类型 | P型, N型 | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 最大连续漏极电流 Id | 30A | |
| 最大漏源电压 Vd | 200V | |
| 包装类型 | 三死 | |
| 系列 | TrenchFET | |
| 安装类型 | 表面 | |
| 引脚数目 | 10 | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 23nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最大功耗 Pd | 60W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 20V | |
| 正向电压 Vf | 0.79V | |
| 晶体管配置 | 共漏极 | |
| 最高工作温度 | +175°C | |
| 标准/认证 | No | |
| 每片芯片元件数目 | 3 | |
| 汽车标准 | AEC-Q101 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
槽架类型 P型, N型 | ||
产品类型 MOSFET | ||
最大连续漏极电流 Id 30A | ||
最大漏源电压 Vd 200V | ||
包装类型 三死 | ||
系列 TrenchFET | ||
安装类型 表面 | ||
引脚数目 10 | ||
通道模式 增强 | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 23nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最大功耗 Pd 60W | ||
最大栅源电压 Vgs 20V | ||
正向电压 Vf 0.79V | ||
晶体管配置 共漏极 | ||
最高工作温度 +175°C | ||
标准/认证 No | ||
每片芯片元件数目 3 | ||
汽车标准 AEC-Q101 | ||
Vishay TrenchFET系列MOSFET,200 V最大漏源电压,30 A最大连续漏电流 - SQUN702E-T1_GE3
此 MOSFET 是表面贴装功率晶体管系列,设计用于汽车和工业控制系统中的高电压开关。它将P通道和N通道元件组合在共漏三模式配置中,以支持复杂的电源管理拓扑,同时在宽温度范围内运行,适用于严苛环境。
特性和优点：
• 200V 排放额定值,支持高电压开关应用 • 30 A 连续漏电流,支持大负载电流 • 60W 功耗,可实现持久的高功率运行 • 最高工作温度为175°C,可提高热量 • 20V 栅极容差,可适应标准栅极驱动电压 • 23nC 典型栅极电荷,可实现可预测的开关性能
应用
• 适用于汽车配电和电机驱动电路 • 适用于车辆高压直流-直流转换阶段 • 用于工业自动化领域的开关模式电源 • 可用于电气系统的负载开关和保护 • 用于需要组合 P 和 N 通道的多元件拓扑结构
它能承受哪种热环境以延长运行时间?
它的额定工作温度高达175°C,低环境限制为-55°C,适用于冷启动场景。
该设备如何适应混合通道电路设计?
三模共排线配置将P通道和N通道元件集成在一个封装中,以简化互补开关布局。
印刷电路板组装的安装注意事项有哪些?
它作为表面贴装组件提供,采用10针封装,可实现自动组装和紧凑型板放置。
设计人员应遵守栅极和排水端子的电气限值?
最大栅源电压为 20 V,最大漏源电压为 200 V,可防止设备过度压力。