Vishay N沟道增强型MOS管, Vds=40 V, 150 A, TO-220AB, 通孔安装, 3引脚
- RS 库存编号:
- 188-4928
- 制造商零件编号:
- SUP40012EL-GE3
- 制造商:
- Vishay
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单位 | 每单位 | Per Tube* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | RMB10.007 | RMB500.35 |
| 100 - 150 | RMB9.707 | RMB485.35 |
| 200 + | RMB9.513 | RMB475.65 |
* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-4928
- 制造商零件编号:
- SUP40012EL-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 通道类型 | N | |
| 最大连续漏极电流 | 150 A | |
| 最大漏源电压 | 40 V | |
| 封装类型 | TO-220AB | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻值 | 2.3 mΩ | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大栅阈值电压 | 2.5V | |
| 最小栅阈值电压 | 1V | |
| 最大功率耗散 | 150 W | |
| 晶体管配置 | 单 | |
| 最大栅源电压 | ±20 V | |
| 长度 | 10.51mm | |
| 典型栅极电荷@Vgs | 130 nC @ 10 V | |
| 每片芯片元件数目 | 1 | |
| 最高工作温度 | +175 °C | |
| 宽度 | 4.65mm | |
| 正向二极管电压 | 1.5V | |
| 最低工作温度 | -55 °C | |
| 高度 | 9.01mm | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
通道类型 N | ||
最大连续漏极电流 150 A | ||
最大漏源电压 40 V | ||
封装类型 TO-220AB | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻值 2.3 mΩ | ||
通道模式 增强 | ||
最大栅阈值电压 2.5V | ||
最小栅阈值电压 1V | ||
最大功率耗散 150 W | ||
晶体管配置 单 | ||
最大栅源电压 ±20 V | ||
长度 10.51mm | ||
典型栅极电荷@Vgs 130 nC @ 10 V | ||
每片芯片元件数目 1 | ||
最高工作温度 +175 °C | ||
宽度 4.65mm | ||
正向二极管电压 1.5V | ||
最低工作温度 -55 °C | ||
高度 9.01mm | ||
N 通道 40V (D-S) MOSFET 。
TrenchFET® 功率 MOSFET
最高 175 ° C 接点温度
出色的 RDS-QG 和 RDS-QOSS FOM 可减少传导和切换的功耗，从而实现高效
最高 175 ° C 接点温度
出色的 RDS-QG 和 RDS-QOSS FOM 可减少传导和切换的功耗，从而实现高效