Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=800 V, 4.1 A, IPAK, 通孔安装, 3引脚, SIHU4N80AE-GE3, SiHU4N80AE系列
- RS 库存编号:
- 188-4943
- 制造商零件编号:
- SIHU4N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
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|---|---|---|
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* 参考价格
- RS 库存编号:
- 188-4943
- 制造商零件编号:
- SIHU4N80AE-GE3
- 制造商:
- Vishay
产品技术参数
产品技术参数资料
法例与合规
产品详细信息
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选择全部 | 属性 | 值 |
|---|---|---|
| 品牌 | Vishay | |
| 产品类型 | MOSFET | |
| 槽架类型 | N型 | |
| 最大连续漏极电流 Id | 4.1A | |
| 最大漏源电压 Vd | 800V | |
| 系列 | SiHU4N80AE | |
| 包装类型 | IPAK | |
| 安装类型 | 通孔 | |
| 引脚数目 | 3 | |
| 最大漏源电阻 Rd | 1.44Ω | |
| 通道模式 | 增强 | |
| 最大功耗 Pd | 62.5W | |
| 最大栅源电压 Vgs | 30 V | |
| 正向电压 Vf | 1.2V | |
| 典型栅极电荷 Qg @ Vgs | 11nC | |
| 最低工作温度 | -55°C | |
| 最高工作温度 | 150°C | |
| 高度 | 6.22mm | |
| 长度 | 6.73mm | |
| 宽度 | 2.38 mm | |
| 标准/认证 | No | |
| 汽车标准 | 否 | |
| 选择全部 | ||
|---|---|---|
品牌 Vishay | ||
产品类型 MOSFET | ||
槽架类型 N型 | ||
最大连续漏极电流 Id 4.1A | ||
最大漏源电压 Vd 800V | ||
系列 SiHU4N80AE | ||
包装类型 IPAK | ||
安装类型 通孔 | ||
引脚数目 3 | ||
最大漏源电阻 Rd 1.44Ω | ||
通道模式 增强 | ||
最大功耗 Pd 62.5W | ||
最大栅源电压 Vgs 30 V | ||
正向电压 Vf 1.2V | ||
典型栅极电荷 Qg @ Vgs 11nC | ||
最低工作温度 -55°C | ||
最高工作温度 150°C | ||
高度 6.22mm | ||
长度 6.73mm | ||
宽度 2.38 mm | ||
标准/认证 No | ||
汽车标准 否 | ||
E 系列功率 MOSFET
低品质因数 (FOM) Ron x Qg
低有效电容 (CISS)
减少切换和传导损耗
应用
服务器和电信电源
开关模式电源 (SMPS)
功率因数校正电源 (PFC)