Vishay N型沟道 增强型 MOSFET, Vds=40 V, 100 A, TO-263, 表面安装, 3引脚, SQM40020E_GE3, SQM40020E系列

可享批量折扣

小计(1 包,共 5 件)*

¥111.43

(不含税)

¥125.915

(含税)

Add to Basket
选择或输入数量
最后的 RS 库存
  • 最终 630 个,准备发货
单位
每单位
每包*
5 - 195RMB22.286RMB111.43
200 - 395RMB21.618RMB108.09
400 +RMB20.974RMB104.87

* 参考价格

包装方式:
RS 库存编号:
188-4954
制造商零件编号:
SQM40020E_GE3
制造商:
Vishay
通过选择一个或多个属性来查找类似产品。
选择全部

品牌

Vishay

槽架类型

N型

产品类型

MOSFET

最大连续漏极电流 Id

100A

最大漏源电压 Vd

40V

系列

SQM40020E

包装类型

TO-263

安装类型

表面

引脚数目

3

最大漏源电阻 Rd

0.00233Ω

通道模式

增强

最低工作温度

-55°C

典型栅极电荷 Qg @ Vgs

130nC

最大功耗 Pd

150W

正向电压 Vf

1.5V

最大栅源电压 Vgs

±20 V

最高工作温度

175°C

宽度

9.65 mm

标准/认证

AEC-Q101

长度

10.41mm

高度

4.57mm

汽车标准

AEC-Q101

汽车 N 通道 40V (D-S) 175 ° C MOSFET 。

TrenchFET® 功率 MOSFET

具有低热阻的封装